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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-Kanal -50V Niedrig Ciss

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
SMP4339
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Mfr:
InterFET
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1.2 V @ 100 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Packung / Gehäuse:
SOT-23-3
Leistung - Max.:
350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
800 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
50 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
SMP4339
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Mfr:
InterFET
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1.2 V @ 100 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Packung / Gehäuse:
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Leistung - Max.:
350 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 15V
Widerstand - RDS (an):
800 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
50 V
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
SMP4339TR
JFET N-Kanal 350 mW Oberflächenbefestigung SOT-23-3

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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