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LS830 TO-71 6L ROHS
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Beschreibung: JFET 2N-CH 40V bis 71

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
LS830
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
60 μA @ 10 V
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
600 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-71
Packung / Gehäuse:
Metall TO-71-6 kann
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Leistung - Max.:
500 mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal 2 (Doppel)
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schüttgut
Reihe:
LS830
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
60 μA @ 10 V
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
600 mV @ 1 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-71
Packung / Gehäuse:
Metall TO-71-6 kann
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-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3pF @ 10V
Leistung - Max.:
500 mW
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
LS830 TO-71 6L ROHS
JFET 2 N-Kanal (Doppelkanal) 40 V 500 mW durch Loch TO-71

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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