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LS26VNS DFN 8L ROHS
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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: JFET N-CH 40V 10MA 8DFN

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Packung / Gehäuse:
8-VFDFN exponiertes Pad
Mfr:
Lineare integrierte Systeme, Inc.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
6 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
350 mW
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 135 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
38 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
8-DFN (2x2)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
40 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Packung / Gehäuse:
8-VFDFN exponiertes Pad
Mfr:
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Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
6 V @ 1 μA
Leistung - Max.:
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Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
13pF @ 20V
Widerstand - RDS (an):
38 Ohm
Lieferanten-Gerätepaket:
8-DFN (2x2)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
40 V
LS26VNS DFN 8L ROHS
JFET N-Kanal 40 V 10 mA 350 mW Oberflächenbefestigung 8-DFN (2x2)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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