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2N4416A-E3
2N4416A-E3

2N4416A-E3

Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 35V bis 206AF

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2.5 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-50 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-206AF, TO-72-4 Metalldose
Basisproduktnummer:
2N4416
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
35 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die Ausrüstung ist in Form von einem Zustandsausrüstungssystem ausgelegt.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
2.5 V @ 1 nA
Leistung - Max.:
300mW
Mfr:
Vishay Siliconix
Betriebstemperatur:
-50 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 15V
Packung / Gehäuse:
TO-206AF, TO-72-4 Metalldose
Basisproduktnummer:
2N4416
2N4416A-E3
JFET N-Kanal 35 V 300 mW durch Loch TO-206AF (TO-72)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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