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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 1MA 3VTFP

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
210 μA @ 2 V
Lieferanten-Gerätepaket:
3-VTFP
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 MA
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.1pF @ 2V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-SMD, flache Führung
Basisproduktnummer:
TF252
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Veraltet
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
210 μA @ 2 V
Lieferanten-Gerätepaket:
3-VTFP
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
1 V @ 1 μA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
1 MA
Mfr:
Einheitlich
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
3.1pF @ 2V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-SMD, flache Führung
Basisproduktnummer:
TF252
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
JFET N-Kanal 1 mA 100 mW Oberflächenbefestigung 3-VTFP

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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