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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V bis 92

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
NTE Electronics, Inc
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
5 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-92
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5.5pF @ 10V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
85 Ohm
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Mfr:
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5 V @ 10 nA
Lieferanten-Gerätepaket:
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Betriebstemperatur:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
5.5pF @ 10V
Leistung - Max.:
350 mW
Widerstand - RDS (an):
85 Ohm
NTE2937
JFET P-Kanal 30 V 350 mW durch Loch TO-92

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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