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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 30V 10MA SOT883

Erhalten Sie besten Preis

Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
180 mV @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-XFDFN
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
TF412
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Mfr:
Einheitlich
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
180 mV @ 1 μA
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
4pF @ 10V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
3-XFDFN
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
TF412
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
JFET N-Kanal 30 V 10 mA 100 mW Oberflächenbefestigung SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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