Produktdetails
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Beschreibung: JFET P-CH 20V TO92-3
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
P-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
20 V |
Typ der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
- |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
300 μA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-92-3 |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
8 V @ 10 μA |
Leistung - Max.: |
350 mW |
Mfr: |
Ein- und zweimal |
Betriebstemperatur: |
-55 °C bis 150 °C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
32pF @ 10V |
Packung / Gehäuse: |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg |
Basisproduktnummer: |
2N3820 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
JFETs |
FET-Typ: |
P-Kanal |
Produktstatus: |
Veraltet |
Spannungsausfall (V (BR) GSS): |
20 V |
Typ der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Schüttgut |
Reihe: |
- |
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
300 μA @ 10 V |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-92-3 |
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @: |
8 V @ 10 μA |
Leistung - Max.: |
350 mW |
Mfr: |
Ein- und zweimal |
Betriebstemperatur: |
-55 °C bis 150 °C (TJ) |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: |
32pF @ 10V |
Packung / Gehäuse: |
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die in Artikel 4 Absatz 1 genannten Maßnahmen zu erg |
Basisproduktnummer: |
2N3820 |