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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 30V

Erhalten Sie besten Preis

Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
175 mA @ 15 V
Mfr:
Mikrochiptechnik
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
10 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
25 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N4859
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
BULK
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
175 mA @ 15 V
Mfr:
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10 V @ 500 pA
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
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Leistung - Max.:
360 mW
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
18pF @ 10V
Widerstand - RDS (an):
25 Ohm
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Basisproduktnummer:
2N4859
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
2N4859UB
JFET N-Kanal 30 V 360 mW Oberflächenhalter

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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