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2SK879-Y(TE85L,F)
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 0,1 W USM

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Usm
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
400 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
100 mW
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer:
2SK879
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1.2 mA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Usm
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400 mV @ 100 nA
Leistung - Max.:
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Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer:
2SK879
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-Kanal 100 mW Oberflächenbefestigung USM

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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