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2N2609

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Produktdetails

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Beschreibung: JFET P-CH 30V 10MA TO18

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
750 mV @ 1 A
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Mfr:
Mikrochiptechnik
Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Basisproduktnummer:
2N2609
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
P-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
30 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Tasche
Reihe:
-
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 5 V
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
750 mV @ 1 A
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
10 mA
Mfr:
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Betriebstemperatur:
-65°C | 200°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
10pF @ 5V
Leistung - Max.:
300mW
Packung / Gehäuse:
TO-206AA, Metall TO-18-3 kann
Basisproduktnummer:
2N2609
2N2609
JFET P-Kanal 30 V 10 mA 300 mW durch Loch TO-18 (TO-206AA)

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

Dioden-Trioden-Transistor durch Loch-Montage,

Dioden-Trioden-Transistor 200V 50A

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