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Haus > produits > Dioden-Trioden-Transistor > 2SK208-R ((TE85L,F)
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2SK208-R ((TE85L,F)
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Produktdetails

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Beschreibung: JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
50 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
300 μA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
S-Mini
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
400 mV @ 100 nA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
6.5 mA
Mfr:
Toshiba Halbleiter und Speicher
Betriebstemperatur:
125°C (TJ)
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
2SK208
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren JFETs
FET-Typ:
N-Kanal
Produktstatus:
Aktiv
Spannungsausfall (V (BR) GSS):
50 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Stromverbrauch (Idss) @ Vds (Vgs=0):
300 μA @ 10 V
Lieferanten-Gerätepaket:
S-Mini
Spannung - Identifikation der Abkürzungs-(VGS weg) @:
400 mV @ 100 nA
Stromverbrauch (Identifikation) - maximal:
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Mfr:
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Betriebstemperatur:
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Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Leistung - Max.:
100 mW
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Basisproduktnummer:
2SK208
2SK208-R ((TE85L,F)
JFET N-Kanal 50 V 6,5 mA 100 mW Oberflächenhalter S-Mini

Tags:

IRFP90N20D-Dioden-Trioden-Transistor,

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