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JANS1N5416US Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Richter Einzeldioden

Produktdetails

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JANS1N5416US

,

JANS1N5416US Diodenrichter

Kategorie:
Diode-Rectifikatoren für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 9 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/411
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
B, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diode-Rectifikatoren für diskrete Halbleiterprodukte
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 9 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/411
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
B, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N5416US Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Richter Einzeldioden

Diode 100 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF