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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 35A DO5

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 110 A
Paket:
BULK
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500/297
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-5
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-203AB, DO-5, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
35A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N1190
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 110 A
Paket:
BULK
Reihe:
Militär, MIL-PRF-19500/297
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-5
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-203AB, DO-5, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
35A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N1190
JANTX1N1190R
Diode 600 V 35A Stangmontage DO-5

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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