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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6081US/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Dies ist der Fall, wenn die Anwendungsbedingungen für die Anwendungsbereiche 1 und 2 nicht eingehalt

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 37,7 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
G, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard, umgekehrte Polarität
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 155 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 37,7 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
G, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard, umgekehrte Polarität
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 155 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6081US/TR
Diode 150 V 2A Oberflächenhalter G, SQ-MELF