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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANS1N5621

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 1A AXIAL

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 3 A
Paket:
BULK
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/429
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
300 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 3 A
Paket:
BULK
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/429
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
300 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANS1N5621
Diode 800 V 1A durch Loch A, axiale