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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A D-67

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 μA @ 600 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 100 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-67
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
110 ns
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
D-67
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 μA @ 600 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 100 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
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Technologie:
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-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
D-67
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
MURH10060
Diode 600 V 100 A Fahrgestell D-67

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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