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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A B AXIAL

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	20 μA @ 300 V	Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.25 V @ 3 A	Paket:	BULK
Reihe:	- -	Kapazität @ Vr, F:	- -
Lieferanten-Gerätepaket:	B, Achs	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	50 ns
Mfr:	Mikrochiptechnik	Technologie:	Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 150 °C	Packung / Gehäuse:	B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	300 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	3A
Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	20 μA @ 300 V
Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.25 V @ 3 A
Paket:	BULK
Reihe:	- -
Kapazität @ Vr, F:	- -
Lieferanten-Gerätepaket:	B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	50 ns
Mfr:	Mikrochiptechnik
Technologie:	Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:	B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	3A
Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)