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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N5196US

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GP 225V 200MA A SQ-MELF

Erhalten Sie besten Preis
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 nA @ 225 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/118
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
25 nA @ 225 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/118
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
JAN1N5196US
Diode 225 V 200 mA Oberflächenhalter A, SQ-MELF