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JANTXV1N6631U
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Produktdetails

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Beschreibung: E-MELF-Diode für die Erzeugung von E-Generatoren

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1,4 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
E-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
4 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1,4 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
E-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N6631U
Diode 1000 V 1,4 A Oberflächenbefestigung E-MELF

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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