Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 50V 6A B axiale
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
875 mV @ 4 A |
Paket: |
BULK |
Reihe: |
Militärische, MIL-PRF-19500/477 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
B, Achs |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Packung / Gehäuse: |
B, Achs |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
50 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
6A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
875 mV @ 4 A |
Paket: |
BULK |
Reihe: |
Militärische, MIL-PRF-19500/477 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
B, Achs |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
30 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Packung / Gehäuse: |
B, Achs |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
50 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
6A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |