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Beschreibung: Diode GEN PURP 50V 200MA UB

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
200 mA
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 50 V
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Diodenarrays
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode):
200 mA
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Diodenkonfiguration:
1 Paarreiheverbindung
Lieferanten-Gerätepaket:
UB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
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Packung / Gehäuse:
3-SMD, ohne Blei
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 50 V
1N4150UBD
Dioden-Array 1 Pair-Serie-Verbindung 50 V 200mA Oberflächenaufbau 3-SMD, ohne Blei

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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