Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 50V 200MA UBC
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
200 mA |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1 V @ 200 mA |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Anode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
UBC |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
4 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Packung / Gehäuse: |
3-SMD, ohne Blei |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
50 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 nA @ 50 V |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Diodenarrays |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Durchschnittlich bereinigt (Io) (pro Diode): |
200 mA |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1 V @ 200 mA |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Diodenkonfiguration: |
1 Paar gemeinsame Anode |
Lieferanten-Gerätepaket: |
UBC |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
4 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Packung / Gehäuse: |
3-SMD, ohne Blei |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
50 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Geschwindigkeit: |
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 nA @ 50 V |