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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTXV1N5811URS

Produktdetails

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Beschreibung: Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/477
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
B, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5811
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/477
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
B, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, B
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5811
JANTXV1N5811URS
Diode 150 V 3A Oberflächenhalter B, SQ-MELF