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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6630US/TR

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 900V 1.4A D-5B

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
4 μA @ 100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5B
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, E
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
900 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
4 μA @ 100 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5B
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, E
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
900 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6630US/TR
Diode 900 V 1.4A Oberflächenhalter D-5B