Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 100V 2A AXIAL
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
2 μA @ 100 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
975 mV @ 2 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
A, axiale |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
25 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
A, axiale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
100 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
2A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
2 μA @ 100 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
975 mV @ 2 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
A, axiale |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
25 ns |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
A, axiale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
100 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
2A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |