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JANTXV1N6628/TR
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Beschreibung: Diode GEN PURP 660V 1,75A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 660 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.35 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/590
Kapazität @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
E, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.75A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 660 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.35 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/590
Kapazität @ Vr, F:
40pF @ 10V, 1MHz
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
E, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.75A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N6628/TR
Diode 660 V 1,75 A durch Loch

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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