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JANTXV1N5620US/TR
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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 1A A SQ-MELF

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militär, MIL-PRF-19500/427
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militär, MIL-PRF-19500/427
Kapazität @ Vr, F:
- -
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A, SQ-MELF
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Mfr:
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SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTXV1N5620US/TR
Diode 800 V 1A Oberflächenhalter A, SQ-MELF

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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