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JAN1N5196/TR
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Beschreibung: Diode GEN PURP 225V 100MA DO35

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 250 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/118
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 250 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/118
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
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Technologie:
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-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
100 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
JAN1N5196/TR
Diode 225 V 100mA durch das Loch DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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