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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6621US/TR

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA D-5A

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/116
Kapazität @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
20 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
75 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 100 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/116
Kapazität @ Vr, F:
20,8 pF @ 1,5 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
20 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
75 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
JAN1N6621US/TR
Diode 75 V 200 mA Oberflächenhalter D-5A