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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6625US/TR

Produktdetails

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Beschreibung: UFR, FRR

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
10,75 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Einheitliche Vorschriften für die Verwendung von
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
80 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
10,75 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Einheitliche Vorschriften für die Verwendung von
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
80 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6625US/TR
Diode 1000 V 1A Oberflächenhalter A, SQ-MELF