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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JANTX1N5190/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 3A

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 9 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/424
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
400 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
- -
Packung / Gehäuse:
B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 9 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/424
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
400 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
- -
Packung / Gehäuse:
B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JANTX1N5190/TR
Diode 600 V 3A durch Loch B, axiale