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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 660V 1.2A D-5A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 660 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 1,2 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/585
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N6622
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 660 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.4 V @ 1,2 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/585
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N6622
JAN1N6622US
Diode 660 V 1.2A Oberflächenhalter D-5A

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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