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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GP3D030A120B

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SIL CARB 1,2KV 30A TO247-2

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 30 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
1762pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D030
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 30 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
1762pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D030
GP3D030A120B
Diode 1200 V 30A durch das Loch TO-247-2