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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1KV 1A D-5C

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 1 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
15pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5C
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, C
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 1 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
15pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, C
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N4948US
Diode 1000 V 1A Oberflächenhalter D-5C

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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