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JAN1N6631/TR
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Beschreibung: Diode GEN PURP 1.1KV 1.4A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 1100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/590
Kapazität @ Vr, F:
- -
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
E, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
2 μA @ 1100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/590
Kapazität @ Vr, F:
- -
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
E, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1.4A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6631/TR
Diode 1100 V 1,4 A durch Loch

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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