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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: Diode GEN PURP 1.1KV 1A axiale

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
10,75 V @ 1 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N6625
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1100 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
10,75 V @ 1 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N6625
1N6625
Diode 1100 V 1A durch Loch A, axiale

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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