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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A D-5B

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 9 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/420
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5B
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, E
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 9 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/420
Kapazität @ Vr, F:
- -
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
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Technologie:
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Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, E
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N5550US/TR
Diode 200 V 3A Oberflächenhalter D-5B

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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