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Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,7 KV 50A TO247-2

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
12 μA @ 1700 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einem Strompegel von
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
50A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
12 μA @ 1700 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
669pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einem Strompegel von
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
50A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Diode 1700 V 50A durch das Loch TO-247-2