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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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MNS1N5806US

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 160V 1A A SQ-MELF

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 1 A
Paket:
BULK
Serie:
Einheitliche Prüfungen
Kapazität @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
25 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einer Leistung von 160 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 150 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 1 A
Paket:
BULK
Serie:
Einheitliche Prüfungen
Kapazität @ Vr, F:
25pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, SQ-MELF
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
25 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einer Leistung von 160 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
MNS1N5806US
Diode 160 V 1A Oberflächenhalter A, SQ-MELF