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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D-5A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 800 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
Militär, MIL-PRF-19500/427
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5620
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 800 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
Militär, MIL-PRF-19500/427
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
D-5A
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF, A
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5620
JAN1N5620US
Diode 800 V 1A Oberflächenhalter D-5A

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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