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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > 1N5809E3/TR
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1N5809E3/TR
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 100V 6A B axiale

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
B, Achs
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standards
Packung / Gehäuse:
B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 4 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
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30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
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B, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
100 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5809E3/TR
Diode 100 V 6A durch Loch B, axiale

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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