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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N6661/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 225V 500MA DO35

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 nA @ 225 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 400 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militär, MIL-PRF- 19500/587
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
500 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 nA @ 225 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 400 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militär, MIL-PRF- 19500/587
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
225 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
500 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N6661/TR
Diode 225 V 500 mA durch das Loch DO-35 (DO-204AH)