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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N4247US

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 1A MELF-1

Erhalten Sie besten Preis
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 600 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
MELF-1
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
5 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 600 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
MELF-1
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
5 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
SQ-MELF
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N4247US
Diode 600 V 1A Oberflächenhalter MELF-1