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JANTX1N4248

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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 1A E3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 800 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/286
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
E3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
5 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
E3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N4248
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 800 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
BULK
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/286
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
E3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
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Mfr:
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Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
E3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N4248
JANTX1N4248
Diode 800 V 1A E3

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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