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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 40A TO247-3

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
835 pF @ 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
40A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D040
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
835 pF @ 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
40A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D040
Die Daten sind in der Tabelle 1 aufgeführt.
Diode 650 V 40A durch Loch TO-247-3