Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 400V 1A axiale
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 μA @ 300 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.1 V @ 1 A |
Paket: |
BULK |
Reihe: |
Militärische, MIL-PRF-19500/228 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
A, axiale |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Packung / Gehäuse: |
A, axiale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
400 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
1A |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
1N3612 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
100 μA @ 300 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.1 V @ 1 A |
Paket: |
BULK |
Reihe: |
Militärische, MIL-PRF-19500/228 |
Kapazität @ Vr, F: |
- - |
Lieferanten-Gerätepaket: |
A, axiale |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-65°C ~ 175°C |
Packung / Gehäuse: |
A, axiale |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
400 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
1A |
Geschwindigkeit: |
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
1N3612 |