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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 20A bis 247-3

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
120 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Fahrzeugtechnik, AEC-Q100/101, CoolSiCTM
Kapazität @ Vr, F:
584pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO247-3-41
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
AIDW20
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
120 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Fahrzeugtechnik, AEC-Q100/101, CoolSiCTM
Kapazität @ Vr, F:
584pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
PG-TO247-3-41
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
AIDW20
Einheitliche Datenbank
Diode 650 V 20A durch das Loch PG-TO247-3-41

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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