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1N4942-1
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Beschreibung: Diode GEN PURP 200V 1A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 1 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
45pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 1 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
45pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
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Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
1N4942-1
Diode 200 V 1A durch Loch

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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