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JAN1N5615/TR
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Beschreibung: Diode GEN PURP 200V 1A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/429
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
Militärische, MIL-PRF-19500/429
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
150 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N5615/TR
Diode 200 V 1A durch Loch A, axiale

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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